導(dǎo)電微晶靜電場描繪儀/ 型號(hào):HAGVZ-4

一.知識(shí)準(zhǔn)備

1． 關(guān)鍵詞：模擬法，靜電場，穩(wěn)恒電流場，等位線，電力線；

2． 用模擬法測繪靜電場分布的原理；

3． 高斯定律。

二．實(shí)驗(yàn)?zāi)康?nbsp;          

        1、學(xué)習(xí)用模擬方法來測繪具有相同數(shù)學(xué)形式的物理場；

      2、描繪出分布曲線及場量的分布特點(diǎn)；

      3、加深對各物理場概念的理解；

      4、初步學(xué)會(huì)用模擬法測量和研究二維靜電場。

主要技術(shù)參數(shù)：

1.     HAGVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電極

（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形或飛機(jī)機(jī)翼電場）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓印有極坐標(biāo)(大r6.5cm ,小r1cm),其他電極距離為8cm.
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性，實(shí)驗(yàn)值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。

詳細(xì)說明20120506140619764.doc