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多晶硅過(guò)程氣體分析系統(tǒng)YGM-3200型

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產(chǎn)品型號(hào)YGM-3200型

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更新時(shí)間：2024-09-10 14:29:01瀏覽次數(shù)：131次

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南京英格瑪儀器技術(shù)有限公司

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YGM-3200系統(tǒng)可連續(xù)監(jiān)測(cè)工業(yè)硅提純的三氯氫硅氫還原工藝中氫氣的氧含量和微水含量以及在尾氣管道保護(hù)氣氮?dú)獾难鹾?..

詳細(xì)介紹

多晶硅過(guò)程氣體分析,多晶硅過(guò)程氣體分析系統(tǒng)YGM-3200型
多晶硅過(guò)程氣體分析系統(tǒng)YGM-3200型
    YGM-3200系統(tǒng)可連續(xù)監(jiān)測(cè)工業(yè)硅提純的三氯氫硅氫還原工藝中氫氣的氧含量和微水含量以及在尾氣管道保護(hù)氣氮?dú)獾难鹾亢臀⑺?，從而保證最后提煉超純硅的品質(zhì)。
系統(tǒng)特點(diǎn)
1. 取樣系統(tǒng)為可插拔式探頭，方便更換濾芯
2. 過(guò)濾器可過(guò)粉塵和硅粉，過(guò)濾精度為0.3μm
3. 大屏幕現(xiàn)場(chǎng)就地顯示
4. 系統(tǒng)留有分析儀標(biāo)定口，無(wú)須拆卸分析儀
5. 采用進(jìn)口陶瓷阻抗式露點(diǎn)分析儀

技術(shù)參數(shù)
1) 型號(hào)：YGM-3200
2) 模擬輸出：4-20 mA輸出
3) 響應(yīng)時(shí)間：T90<20s
4) 工作溫度：-20º~+60º
5) 電源：24 VDC
6) 防護(hù)等級(jí)：IP65
7) 系統(tǒng)部件：316L不銹鋼
8) 防爆標(biāo)準(zhǔn)：符合EEx ia IIC T4

微水分析儀：
a. 測(cè)量范圍：-100~+20º
b. 精度：+20~-60º 露點(diǎn)范圍內(nèi)為±1º
c. -60~-100º 露點(diǎn)范圍內(nèi)為±2º
d. 工作壓力：真空~40 MPa
e. 計(jì)量單位：PPmW,℃
f. 防爆標(biāo)準(zhǔn)：非現(xiàn)場(chǎng)顯示型符合EEx ia IIC T4
g. 現(xiàn)場(chǎng)顯示型符合EEXd IIB T4

氧含量分析儀：
h. 測(cè)量范圍：0/10/100PPm 1/10/25%
i. 精度：<1%FS
j. 計(jì)量單位：PPmW,%
k. 大氣壓力影響：大氣壓力影響：每變化1毫米汞柱讀數(shù)變化±0.13%
l. 防爆標(biāo)準(zhǔn)： NEC/CEC Class Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ,Division 1
                      GroupsA,B,C,D,E,F,G;
                      CENELEC Eex ia Ⅱ c T4(60℃)BASEEFA Ceet.Nos.
                      Ex96D2442 and Ex 96D2444

典型用戶
①　徐州中能
②　亞洲硅業(yè)
③　江蘇順大
④　江西賽維